
FGH40T65SHD-F155 ON Semiconductor
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Technische Details FGH40T65SHD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 72.2 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 268 W.
Weitere Produktangebote FGH40T65SHD-F155 nach Preis ab 2.73 EUR bis 7.52 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off) Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V Gate Charge: 72.2 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 268 W |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
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auf Bestellung 545 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 72.2nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FGH40T65SHD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 134W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 134W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 72.2nC Kind of package: tube |
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