FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor
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Technische Details FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns, Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off), Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 79 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 333 W.
Weitere Produktangebote FGH60T65SQD-F155 nach Preis ab 4.17 EUR bis 10 EUR
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Preis | ||||||||||||
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FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20.8ns/102ns Switching Energy: 227µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 79 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 120 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 333 W |
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FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : onsemi |
IGBTs 650V 60A FS4 TRENCH |
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FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60T65SQD-F155 - IGBT, 120 A, 1.6 V, 333 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 120A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FGH60T65SQD-F155 Produktcode: 166613
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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| FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 333W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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| FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGH60T65SQD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 60A; 167W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 60A Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube |
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