FGH75T65SHD_F155 ON Semiconductor
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Technische Details FGH75T65SHD_F155 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns, Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 455 W.
Weitere Produktangebote FGH75T65SHD_F155 nach Preis ab 4.78 EUR bis 12.06 EUR
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
auf Bestellung 1800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD-F155 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBTs FS3TIGBT TO247 75A 650V |
auf Bestellung 1340 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH75T65SHD-F155 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43.4 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/80ns Switching Energy: 2.4mJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W |
auf Bestellung 2497 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH75T65SHD-F155 Produktcode: 172511
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD_F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 75 A FIELD STOP TRENCH SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
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| FGH75T65SHD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGH75T65SHD-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube |
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