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Technische Details FGH75T65SHDT-F155 onsemi / Fairchild
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns, Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 455 W.
Weitere Produktangebote FGH75T65SHDT-F155 nach Preis ab 4.76 EUR bis 11.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 76 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 123 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 455 W |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Dauerkollektorstrom: 150A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 227W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 227W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube |
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