FGH75T65SHDT-F155 onsemi
Hersteller: onsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns
Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 123 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 455 W
auf Bestellung 543 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 11.53 EUR |
| 30+ | 6.63 EUR |
| 120+ | 5.55 EUR |
| 510+ | 4.76 EUR |
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Technische Details FGH75T65SHDT-F155 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/86ns, Switching Energy: 3mJ (on), 750µJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 3Ohm, 15V, Gate Charge: 123 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A, Power - Max: 455 W.
Weitere Produktangebote FGH75T65SHDT-F155 nach Preis ab 5.09 EUR bis 11.76 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
IGBTs 650V FS3 Trench IGBT |
auf Bestellung 357 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SHDT-F155 - IGBT, 150 A, 1.6 V, 455 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 455W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 147 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FGH75T65SHDT-F155 | Hersteller : ONSEMI |
FGH75T65SHDT-F155 THT IGBT transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |