FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FGH75T65SQDNL4 ON Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 134 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns, Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 152 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A, Power - Max: 375 W.
Weitere Produktangebote FGH75T65SQDNL4 nach Preis ab 8.15 EUR bis 15.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : onsemi |
 IGBTs 650V/75 FAST IGBT |
auf Bestellung 441 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT TRENCH FS 650V 200A TO-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 134 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 44ns/208ns Switching Energy: 1.25mJ (on), 1.26mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 152 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A Power - Max: 375 W |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH75T65SQDNL4 - IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.43V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 1253 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
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| FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 152nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGH75T65SQDNL4 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 75A; 188W; TO247-4 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 75A Power dissipation: 188W Case: TO247-4 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 152nC |
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