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FGH75T65SQDTL4

FGH75T65SQDTL4 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details FGH75T65SQDTL4 ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 76 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns, Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off), Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V, Gate Charge: 128 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A.

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FGH75T65SQDTL4 FGH75T65SQDTL4 ON Semiconductor fgh75t65sqdtl4-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 375W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
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FGH75T65SQDTL4 FGH75T65SQDTL4 onsemi fgh75t65sqdtl4-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 150A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 76 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/276ns
Switching Energy: 307µJ (on), 266µJ (off)
Test Condition: 400V, 18.8A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
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FGH75T65SQDTL4 FGH75T65SQDTL4 onsemi fgh75t65sqdtl4-d.pdf IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
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