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Technische Details FGHL40T120RWD onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 248 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns, Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off), Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 174 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 600 W.
Weitere Produktangebote FGHL40T120RWD nach Preis ab 5.45 EUR bis 12.55 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGHL40T120RWD | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT FIELD STOP 1200V 80A TO-247Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 248 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40.3A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 38ns/184ns Switching Energy: 2.9mJ (on), 2.1mJ (off) Test Condition: 600V, 40A, 4.7Ohm, 15V Gate Charge: 174 nC Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 600 W |
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FGHL40T120RWD | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGHL40T120RWD - IGBT, 80 A, 1.49 V, 600 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.49V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Field Stop VII Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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| FGHL40T120RWD | Hersteller : ON Semiconductor |
1200V/40A FS7 IGBT SCR TO247 |
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| FGHL40T120RWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FGHL40T120RWD | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 300W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 300W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 174nC Kind of package: tube |
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