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FGHL75T65LQDTL4

FGHL75T65LQDTL4 onsemi

fghl75t65lqdtl4-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 87 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 779 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 469 W
auf Bestellung 277 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+15.71 EUR
30+9.2 EUR
120+7.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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Technische Details FGHL75T65LQDTL4 onsemi

Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 87 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 40ns/548ns, Switching Energy: 1.01mJ (on), 2.53mJ (off), Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V, Gate Charge: 779 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 469 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FGHL75T65LQDTL4 FGHL75T65LQDTL4 onsemi fghl75t65lqdtl4-d.pdf IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+15.9 EUR
10+9.32 EUR
120+8.15 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FGHL75T65LQDTL4 FGHL75T65LQDTL4 ONSEMI 3672841.pdf Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 293 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15+17.54 EUR
19+12.88 EUR
25+8.73 EUR
50+8.03 EUR
100+7.52 EUR
250+7.01 EUR
Mindestbestellmenge: 15 Stücke
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FGHL75T65LQDTL4 fghl75t65lqdtl4-d.pdf
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IGBTs FS4 LOW VCESAT IGBT 650V 75A TO247-4L WITH FULL RATED CURRENT DIODE
auf Bestellung 330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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1+15.9 EUR
10+9.32 EUR
120+8.15 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGHL75T65LQDTL4 - IGBT, 80 A, 1.15 V, 469 W, 650 V, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.15V
Verlustleistung: 469W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-247
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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