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Technische Details FGY75T120SQDN onsemi
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3 Variant, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 99 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns, Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off), Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 399 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A, Power - Max: 790 W.
Weitere Produktangebote FGY75T120SQDN nach Preis ab 9.07 EUR bis 17.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FGY75T120SQDN | Hersteller : onsemi |
 Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 399 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 790 W |
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| FGY75T120SQDN | Hersteller : ONSEMI |
FGY75T120SQDN THT IGBT transistors |
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FGY75T120SQDN Produktcode: 198781
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Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule |
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FGY75T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGY75T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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FGY75T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
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