FGY75T120SQDN
Produktcode: 198781
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller:
Transistoren > Transistoren IGBT, Leistungsmodule
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote FGY75T120SQDN nach Preis ab 8.85 EUR bis 17.72 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FGY75T120SQDN | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 75A; 395W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 75A Power dissipation: 395W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 300A Mounting: THT Gate charge: 399nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 33 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||
|
FGY75T120SQDN | Hersteller : onsemi |
IGBTs IGBT 1200V 75A UFS |
auf Bestellung 405 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
FGY75T120SQDN | Hersteller : onsemi |
Description: IGBT FS 1200V 150A TO-247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 99 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 75A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 64ns/332ns Switching Energy: 6.25mJ (on), 1.96mJ (off) Test Condition: 600V, 75A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 399 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A Power - Max: 790 W |
auf Bestellung 450 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||
|
FGY75T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||
|
FGY75T120SQDN | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 150A 790W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |



