FJA4310OTU ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 250+ | 1.8 EUR |
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Technische Details FJA4310OTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100W, Bauform - Transistor: TO-3P, Dauerkollektorstrom: 10A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: FJA4310, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote FJA4310OTU nach Preis ab 1.6 EUR bis 2.71 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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FJA4310OTU | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FJA4310OTU | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-3P Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: FJA4310 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
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FJA4310OTU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FJA4310OTU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W |
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FJA4310OTU | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
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