FJP13007TU ON Semiconductor
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Technische Details FJP13007TU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 8 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 80 W.
Weitere Produktangebote FJP13007TU
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FJP13007TU | Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild |
 Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor |
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FJP13007TU | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 400V 8A 80000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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FJP13007TU | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 400V 8A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 2A, 8A DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5 @ 5A, 5V Frequency - Transition: 4MHz Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V Power - Max: 80 W |
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