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FJP13009H2TU

FJP13009H2TU Fairchild

fjp13009-1008893-datasheet.pdf
Produktcode: 125281
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Hersteller: Fairchild
Gehäuse: TO-220
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 А
ZCODE: THT
auf Bestellung 183 St.:
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : ON Semiconductor fjp13009-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : ON Semiconductor fjp13009-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : ONSEMI fjp13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: NPN
Case: TO220AB
Current gain: 15...40
Collector current: 12A
Power dissipation: 100W
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 4MHz
Polarisation: bipolar
Kind of package: tube
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : onsemi fjp13009-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : onsemi fjp13009-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
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100+1.79 EUR
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003586443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FJP13009H2TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 12 A, 100 W, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 8hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 4MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FJP13009H2TU FJP13009H2TU Hersteller : ON Semiconductor fjp13009-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP13009H2TU Hersteller : ON-Semiconductor fjp13009-d.pdf NPN 12A 400V 2W 4MHz FJP13009 TMJE13009 fai
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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Produktcode: 26412
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ST13007A (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 700
Ucbo,V: 700
Ic,A: 8
h21: 40
ZCODE: THT
verfügbar: 384 St.
15 St. - stock Köln
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MJE13009F (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 104845
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mje13009f.pdf
MJE13009F (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: Fairchild
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220ISO
fT: 4 MHz
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 700 V
Ic,A: 12 A
ZCODE: THT
auf Bestellung 205 St.:
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TL494CN
Produktcode: 36468
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494 TL494-D.pdf
TL494CN
Hersteller: TI
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-16
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 7...40V
I-ausg., A: 200 mA
Fosc, kHz: 300
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 384 St.
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1+0.29 EUR
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10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano)
Produktcode: 105927
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exr_20141128datasheet.pdf
10uF 63V EXR 5x11mm (EXR100M63B-Hitano)
Hersteller: hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 63V
Reihe: EXR-niedrige impedance
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
auf Bestellung 224 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 10200 St.:
10000 St. - erwartet
Anzahl Preis
1+0.26 EUR
10+0.22 EUR
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470uF 25V ESX 10x16mm (low imp.) (ESX471M25B-Hitano) (электролитический конденсатор низкоимпедансный)
Produktcode: 153905
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ESX_080418.pdf
470uF 25V ESX 10x16mm (low imp.) (ESX471M25B-Hitano) (электролитический конденсатор низкоимпедансный)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470 µF
Nennspannung: 25 V
Reihe: ESX
Temp.Bereich: низькоімпедансні з довгим терміном служби
№ 8: 5000 годин
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 2000 St.
2000 St. - erwartet 10.08.2026
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