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FJP13009TU

FJP13009TU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 450 Stücke:
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Technische Details FJP13009TU ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V, Frequency - Transition: 4MHz, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 12 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 100 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FJP13009TU FJP13009TU ON Semiconductor fjp13009-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 321 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 161 Stücke
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FJP13009TU FJP13009TU ON Semiconductor fjp13009-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 12A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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auf Bestellung 1000 Stücke:
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FJP13009TU FJP13009TU ONSEMI fjp13009-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 12A; 100W; TO220AB
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 4MHz
Collector current: 12A
auf Bestellung 244 Stücke:
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41+2.07 EUR
51+1.69 EUR
82+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 41 Stücke
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FJP13009TU FJP13009TU onsemi fjp13009-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Sil Transistor
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1+4.02 EUR
10+1.95 EUR
100+1.57 EUR
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FJP13009TU FJP13009TU onsemi fjp13009-d.pdf Description: TRANS NPN 400V 12A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 12474 Stücke:
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5+5.19 EUR
50+2.57 EUR
100+2.32 EUR
500+1.87 EUR
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2000+1.61 EUR
5000+1.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 400V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Current gain: 8...40
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Frequency: 4MHz
Collector current: 12A
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Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 3A, 12A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 100 W
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5000+1.56 EUR
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