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FJP2160DTU

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Produktcode: 87278
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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FJP2160DTU FJP2160DTU Hersteller : ON Semiconductor fjp2160d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
224+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 224
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FJP2160DTU FJP2160DTU Hersteller : ON Semiconductor fjp2160d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP2160DTU FJP2160DTU Hersteller : ON Semiconductor fjp2160d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 2A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 860 Stücke:
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Anzahl Preis
189+0.76 EUR
489+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 189
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FJP2160DTU FJP2160DTU Hersteller : onsemi FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
auf Bestellung 43000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
489+1.07 EUR
Mindestbestellmenge: 489
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FJP2160DTU FJP2160DTU Hersteller : ON Semiconductor / Fairchild FJP2160D-1300693.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN/1600V/3A
auf Bestellung 170 Stücke:
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FJP2160DTU Hersteller : ONSEMI FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - FJP2160DTU - POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NPN
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 42600 Stücke:
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FJP2160DTU FJP2160DTU Hersteller : Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366007-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 800V 2A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
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