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FJP5555TU

FJP5555TU ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Technische Details FJP5555TU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FJP5555TU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 400 V, 5 A, 75 W, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 5, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 400, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (10-Jun-2022).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FJP5555TU FJP5555TU ON Semiconductor fjp5555-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP5555TU FJP5555TU onsemi FJP5555-D.PDF Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
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FJP5555TU ONSEMI FJP5555-D.PDF Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
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euEccn: NLR
hazardous: false
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