FJP5555TU onsemi / Fairchild


FJP5555-D.PDF
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
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Technische Details FJP5555TU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220-3, Power - Max: 75 W, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FJP5555TU FJP5555TU onsemi FJP5555-D.PDF Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220-3
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220-3
Power - Max: 75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
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Transistor Type: NPN
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