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FJP5555TU

FJP5555TU onsemi / Fairchild

FJP5555-D.PDF Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
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Technische Details FJP5555TU onsemi / Fairchild

Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V, Power - Max: 75 W.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FJP5555TU FJP5555TU Hersteller : onsemi FJP5555-D.PDF Description: TRANS NPN 400V 5A TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 3.5A
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 800mA, 3V
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 400 V
Power - Max: 75 W
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FJP5555TU FJP5555TU Hersteller : ON Semiconductor fjp5555cn-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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FJP5555TU Hersteller : ONSEMI FJP5555-D.PDF Description: ONSEMI - FJP5555TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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FJP5555TU FJP5555TU Hersteller : ON Semiconductor fjp5555cn-d.pdf Trans GP BJT NPN 400V 5A 75000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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