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FJV1845FMTF

FJV1845FMTF ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 120V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FJV1845FMTF ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 110MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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FJV1845FMTF FJV1845FMTF onsemi FJV1845.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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FJV1845FMTF FJV1845FMTF onsemi FJV1845.pdf Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Bipolar Transistors - BJT NPN Epitaxial Transistor
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Description: TRANS NPN 120V 0.05A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
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