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FJV42MTF

FJV42MTF onsemi

fjv42mtf-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FJV42MTF onsemi

Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23-3, Power - Max: 350 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Transistor Type: NPN, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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FJV42MTF FJV42MTF onsemi / Fairchild FJV42MTF-D.PDF Bipolar Transistors - BJT NPN High Voltage Transistor
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FJV42MTF FJV42MTF onsemi fjv42mtf-d.pdf Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
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Power - Max: 350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA
Transistor Type: NPN
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