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FJV992FMTF

FJV992FMTF onsemi

fjv992-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3
Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FJV992FMTF onsemi

Description: TRANS PNP 120V 0.05A SOT-23-3, Power - Max: 300 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Supplier Device Package: SOT-23-3, Frequency - Transition: 50MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: PNP, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FJV992FMTF FJV992FMTF onsemi / Fairchild FJV992_D-1809572.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP/120V/50mA
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Power - Max: 300 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 50MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1mA, 6V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
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