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FMB5551

FMB5551 onsemi

fmb5551-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 9000 Stücke:
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Technische Details FMB5551 onsemi

Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: 150°C (TJ), Power - Max: 700mW, Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SuperSOT™-6, Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FMB5551 FMB5551 Hersteller : ON Semiconductor 3661957259075775fmb5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5940 Stücke:
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FMB5551 FMB5551 Hersteller : ON Semiconductor 3661957259075775fmb5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMB5551 FMB5551 Hersteller : onsemi / Fairchild FMB5551_D-2313722.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor General Purpose
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FMB5551 FMB5551 Hersteller : onsemi fmb5551-d.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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FMB5551 FMB5551 Hersteller : ON Semiconductor 3661957259075775fmb5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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