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FMBM5401

FMBM5401 ON Semiconductor

fmbm5401-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
349+0.5 EUR
427+0.4 EUR
431+0.39 EUR
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1000+0.26 EUR
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Technische Details FMBM5401 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 700mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote FMBM5401 nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.32 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FMBM5401 FMBM5401 ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
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349+0.46 EUR
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537+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
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FMBM5401 FMBM5401 ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5401 FMBM5401 ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
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211+0.82 EUR
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1000+0.75 EUR
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FMBM5401 FMBM5401 onsemi / Fairchild FMBM5401-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
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3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
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3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
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FMBM5401 FMBM5401 ONSEMI fmbm5401-d.pdf Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
192+1.31 EUR
293+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
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FMBM5401 FMBM5401 ONSEMI fmbm5401-d.pdf Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 355 Stücke:
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FMBM5401 FMBM5401 onsemi fmbm5401-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1094 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.32 EUR
26+0.82 EUR
100+0.52 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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FMBM5401 fmbm5401-d.pdf
FMBM5401
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 5975 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
271+0.65 EUR
325+0.52 EUR
349+0.46 EUR
427+0.37 EUR
431+0.35 EUR
537+0.27 EUR
1000+0.21 EUR
3000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 271 Stücke
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FMBM5401
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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FMBM5401
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 2740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
209+0.84 EUR
211+0.82 EUR
250+0.8 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 209 Stücke
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FMBM5401 FMBM5401-D.PDF
FMBM5401
Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
auf Bestellung 25911 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.19 EUR
10+0.74 EUR
100+0.49 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.36 EUR
3000+0.35 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FMBM5401
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 355 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
192+1.31 EUR
293+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 192 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FMBM5401
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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FMBM5401
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Power - Max: 700 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
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Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH