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FMBM5401

FMBM5401 onsemi

fmbm5401-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 700 mW
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Technische Details FMBM5401 onsemi

Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA, tariffCode: 85412900, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: -MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 700mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: -W, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A.

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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : onsemi fmbm5401-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SUPERSOT-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 700 mW
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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209+0.75 EUR
211+ 0.72 EUR
250+ 0.68 EUR
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : onsemi / Fairchild FMBM5401_D-2313315.pdf Bipolar Transistors - BJT SSOT6 PNP General Purpose Amplifier
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1000+ 0.4 EUR
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ONSEMI 2907501.pdf Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
auf Bestellung 720 Stücke:
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ONSEMI 2907501.pdf Description: ONSEMI - FMBM5401 - Bipolares Transistor-Array, PNP, 150 V, 600 mA
tariffCode: 85412900
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -MHz
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: 700mW
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 300MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 50hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 150V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -A
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FMBM5401 FMBM5401 Hersteller : ON Semiconductor fmbm5401-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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