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FMBM5551

FMBM5551 ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 951 Stücke:
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Technische Details FMBM5551 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW, tariffCode: 85413000, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung, PNP: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SuperSOT, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 700mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FMBM5551 FMBM5551 ON Semiconductor fmbm5551-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
auf Bestellung 951 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 779 Stücke
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FMBM5551 FMBM5551 onsemi / Fairchild FMBM5551-D.PDF Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
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4+1.08 EUR
10+0.67 EUR
100+0.44 EUR
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3000+0.27 EUR
6000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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FMBM5551 FMBM5551 ONSEMI 2729174.pdf Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW
tariffCode: 85413000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 3615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
224+1.12 EUR
390+0.6 EUR
538+0.39 EUR
663+0.32 EUR
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FMBM5551 FMBM5551 ONSEMI 2729174.pdf Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW
tariffCode: 85413000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
auf Bestellung 3615 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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390+0.6 EUR
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FMBM5551 FMBM5551 onsemi fmbm5551-d.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
auf Bestellung 2466 Stücke:
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18+1.19 EUR
29+0.75 EUR
100+0.48 EUR
500+0.37 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 18 Stücke
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FMBM5551 FMBM5551 onsemi fmbm5551-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
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10+0.77 EUR
100+0.51 EUR
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3000+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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FMBM5551 Fairchild fmbm5551-d.pdf
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FMBM5551
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 700mW 6-Pin TSOT-23 T/R
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Hersteller: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
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FMBM5551
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW
tariffCode: 85413000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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FMBM5551
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FMBM5551 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach npn, 160 V, 600 mA, 700 mW
tariffCode: 85413000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SuperSOT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 700mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS 2NPN 160V 600MA SUPERSOT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 700mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SuperSOT™-6
Part Status: Active
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SSOT6 NPN General Purpose Amplifier
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AnzahlPrivatkunde
3+1.29 EUR
10+0.77 EUR
100+0.51 EUR
500+0.39 EUR
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6000+0.27 EUR
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Hersteller: Fairchild
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