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FMD15-06KC5 IXYS

FMD15-06KC5.pdf Hersteller: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 15A
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 40nC
Technology: HiPerDynFRED
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.165Ω
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15 Stücke:
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Technische Details FMD15-06KC5 IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC, Packaging: Tube, Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA, Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V.

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FMD15-06KC5 Hersteller : IXYS FMD15-06KC5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; HiPerDynFRED; unipolar; 600V; 15A
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: boost chopper
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024a
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
Gate charge: 40nC
Technology: HiPerDynFRED
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
On-state resistance: 0.165Ω
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FMD15-06KC5 Hersteller : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_super_junction_multi-chip_config_f__15-06kc5_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 15A I4PAC
Packaging: Tube
Package / Case: ISOPLUSi5-Pak™
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 790µA
Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 100 V
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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FMD15-06KC5
Produktcode: 139204
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