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FMG4AT148

FMG4AT148 Rohm Semiconductor

emg4t2r-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMT5
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Technische Details FMG4AT148 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - FMG4AT148 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-74A, Anzahl der Pins: 5 Pins, Produktpalette: FMG4A Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FMG4AT148 FMG4AT148 Hersteller : ROHM Semiconductor fmg4at148-e-1018099.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA
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FMG4AT148 FMG4AT148 Hersteller : ROHM emg4t2r-e.pdf Description: ROHM - FMG4AT148 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-74A
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: FMG4A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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FMG4AT148 Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR emg4t2r-e.pdf FMG4AT148 NPN SMD transistors
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