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FMMT413TD

FMMT413TD Diodes Incorporated

FMMT413A.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details FMMT413TD Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3500 Stücke:
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FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FMMT413TD FMMT413TD Diodes Incorporated FMMT413.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
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FMMT413TD FMMT413TD Diodes Incorporated FMMT413A.pdf Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
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FMMT413TD FMMT413TD Diodes Zetex 5250218890941520fmmt413.pdf Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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FMMT413TD FMMT413TD DIODES INC. FMMT413A.pdf Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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FMMT413TD FMMT413TD DIODES INC. FMMT413A.pdf Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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FMMT413TD
Hersteller: Diodes Zetex
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FMMT413TD
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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
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Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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FMMT413TD
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT NPN Avalanche
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100+4.65 EUR
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FMMT413TD
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 0.1A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Avalanche Mode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 330 mW
auf Bestellung 42734 Stücke:
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10+6.44 EUR
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1 Stücke:
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: DIODES INC. - FMMT413TD - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 100 mA, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 196 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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