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FMMT593TA

FMMT593TA Diodes Zetex


fmmt593.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FMMT593TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FMMT593TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : Diodes Zetex fmmt593.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : Diodes Incorporated FMMT593.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FMMT593.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis ohne MwSt
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353+ 0.2 EUR
410+ 0.17 EUR
465+ 0.15 EUR
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FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FMMT593.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 1A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 6052 Stücke:
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410+ 0.17 EUR
465+ 0.15 EUR
1000+ 0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 211
FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : Diodes Zetex fmmt593.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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541+ 0.28 EUR
554+ 0.26 EUR
579+ 0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 371
FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : Diodes Zetex fmmt593.pdf Trans GP BJT PNP 100V 1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
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291+0.54 EUR
362+ 0.42 EUR
371+ 0.39 EUR
541+ 0.26 EUR
554+ 0.24 EUR
579+ 0.22 EUR
1056+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 291
FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : Diodes Incorporated FMMT593.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power
auf Bestellung 25124 Stücke:
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50+1.04 EUR
66+ 0.8 EUR
115+ 0.45 EUR
1000+ 0.3 EUR
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9000+ 0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 50
FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : Diodes Incorporated FMMT593.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 500 mW
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FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013889901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FMMT593TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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FMMT593TA FMMT593TA Hersteller : DIODES INC. DIOD-S-A0013889901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - FMMT593TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 500 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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