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FMMT717TA

FMMT717TA Diodes Zetex

1261fmmt717.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 625mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details FMMT717TA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - FMMT717TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 2.5A, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : Diodes Zetex 1261fmmt717.pdf Trans GP BJT PNP 12V 2.5A 625mW 3-Pin SOT-23 T/R
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : Diodes Incorporated FMMT717.pdf Description: TRANS PNP 12V 2.5A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
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3000+0.27 EUR
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15000+0.22 EUR
21000+0.21 EUR
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : Diodes Incorporated DIODS21313_1-2541897.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP SuperSOT
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : Diodes Incorporated FMMT717.pdf Description: TRANS PNP 12V 2.5A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Current - Collector (Ic) (Max): 2.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 625 mW
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25+0.72 EUR
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Mindestbestellmenge: 16
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FMMT717TA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 2.5A; 625mW; SOT23
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 2.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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289+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 34
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : DIODES INCORPORATED FMMT717TA.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 2.5A; 625mW; SOT23
Quantity in set/package: 3000pcs.
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 2.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : DIODES INC. 2239712.pdf Description: DIODES INC. - FMMT717TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
auf Bestellung 1420 Stücke:
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auf Bestellung 415 Stücke:
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FMMT717TA FMMT717TA Hersteller : DIODES INC. 2239712.pdf Description: DIODES INC. - FMMT717TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 12 V, 2.5 A, 625 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 45hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 2.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 625mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 12V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2.5A
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
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