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FMY1AT148

FMY1AT148 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 5-Pin SMT T/R
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Technische Details FMY1AT148 Rohm Semiconductor

Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Current - Collector (Ic) (Max): 150mA, Power - Max: 300mW, Operating Temperature: 150°C (TJ), Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-74A, SOT-753, Packaging: Tape & Reel (TR), Supplier Device Package: SMT5, Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FMY1AT148 FMY1AT148 Rohm Semiconductor umy1ntr-e.pdf Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.15A 300mW 5-Pin SMT T/R
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FMY1AT148 FMY1AT148 ROHM Semiconductor datasheet?p=FMY1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - BJT NPN/PNP 50V 150MA SMT5
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FMY1AT148 FMY1AT148 Rohm Semiconductor datasheet?p=FMY1A&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A 5SMT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: SMT5
Frequency - Transition: 180MHz, 140MHz
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FMY1A T148 ROHM SOT153-Y1 P
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN, PNP (Emitter Coupled)
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