FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 335 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V
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Technische Details FP100R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 100A 335W MOD, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 100A, NTC Thermistor: No, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 335 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FP100R07N3E4BOSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FP100R07N3E4BOSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; AG-ECONO3-3; Inverter; 335W; Field Stop,Trench Type of semiconductor module: IGBT Case: AG-ECONO3-3 Application: Inverter Gate-emitter voltage: ±20V Power dissipation: 335W Technology: Field Stop; Trench |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
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FP100R07N3E4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP100R07N3E4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray |
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| FP100R07N3E4BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO3-3; Inverter; 335W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; AG-ECONO3-3; Inverter; 335W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 335W
Technology: Field Stop; Trench
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| FP100R07N3E4BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 650V 100A 335W 43-Pin ECONO3-3 Tray
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