FP100R12KT4_B11 Infineon Technologies
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Technische Details FP100R12KT4_B11 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W, Type of semiconductor module: IGBT, Semiconductor structure: diode/transistor, Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge, Max. off-state voltage: 1.2kV, Collector current: 100A, Case: AG-ECONO3-3, Electrical mounting: Press-in PCB, Gate-emitter voltage: ±20V, Pulsed collector current: 200A, Power dissipation: 515W, Technology: EconoPIM™ 3, Mechanical mounting: screw.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| FP100R12KT4-B11 | EUPEC | 100A/1200V/PIM |
auf Bestellung 129 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| FP100R12KT4-B11 |
Hersteller: EUPEC
100A/1200V/PIM
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