FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 196.40 EUR |
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Technische Details FP100R12KT4B11BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP100R12KT4B11BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FP100R12KT4B11BOSA1 nach Preis ab 179.86 EUR bis 272.03 EUR
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 6 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 23 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP100R12KT4B11BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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| FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 515W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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| FP100R12KT4B11BOSA1 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; 515W Semiconductor structure: diode/transistor Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 100A Pulsed collector current: 200A Power dissipation: 515W Electrical mounting: Press-in PCB Mechanical mounting: screw Type of module: IGBT Technology: EconoPIM™ 3 Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge Case: AG-ECONO3-3 Max. off-state voltage: 1.2kV |
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