FP150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 3+ | 214.26 EUR |
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Technische Details FP150R07N3E4BOSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 650V 150A 430W, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Standard, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Power - Max: 430 W, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FP150R07N3E4BOSA1 nach Preis ab 214.26 EUR bis 256.00 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||
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FP150R07N3E4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trench and Field Stop IGBT Module |
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FP150R07N3E4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
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FP150R07N3E4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
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FP150R07N3E4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 650V 150A 430W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 430 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.3 nF @ 25 V |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FP150R07N3E4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER ECONO Packaging: Bulk |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FP150R07N3E4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
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