FP150R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 311.08 EUR |
| 25+ | 293.96 EUR |
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Technische Details FP150R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Description: IGBT MODULE 1200V 150A, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Current - Collector (Ic) (Max): 150 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FP150R12KT4PB11BPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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FP150R12KT4PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 43-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP150R12KT4PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A 43-Pin Tray |
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FP150R12KT4PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 150A Tray |
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FP150R12KT4PB11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 1200V 150A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V |
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