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FP15R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies


Infineon-FP15R12W1T4P_B11-DS-v03_00-JA.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 15 A PIM IGBT module
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Technische Details FP15R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies

Description: IGBT MOD 1200V 30A 20MW, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 15A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: Module, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 890 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FP15R12W1T4PB11BPSA1 nach Preis ab 49.86 EUR bis 49.86 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FP15R12W1T4PB11BPSA1 Infineon Technologies Infineon-FP15R12W1T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc23b54d7253 Description: 1200 V, 15 A PIM IGBT MODULE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
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FP15R12W1T4PB11BPSA1 Infineon-FP15R12W1T4P_B11-DS-v03_00-EN.pdf?fileId=5546d4625bd71aa0015bfc23b54d7253
Hersteller: Infineon Technologies
Description: 1200 V, 15 A PIM IGBT MODULE
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