FP25R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP25R12W1T7BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP25R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.6 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench], hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V, Dauer-Kollektorstrom: 25A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Lötstift, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Produktpalette: EasyPIM Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
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FP25R12W1T7BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - FP25R12W1T7BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 25 A, 1.6 V, 175 °C, ModultariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V Dauer-Kollektorstrom: 25A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötstift euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Produktpalette: EasyPIM Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| FP25R12W1T7BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Easy PIM module with TRENCH STOP IGBT7 and Emitter Controlled 7 diode and NTC |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| FP25R12W1T7BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
RP 2B 1K05 0.1% 15PPM CUT LENGTH |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP25R12W1T7BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER EASY AG-EASY1B-1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY1B IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 25 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 5.6 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.77 nF @ 25 V |
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