FP30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 5+ | 61.17 EUR |
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Technische Details FP30R06W1E3BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 37 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V, Dauer-Kollektorstrom: 37A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V, Verlustleistung Pd: 115W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 115W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V, Produktpalette: EasyPIM 1B, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 37A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FP30R06W1E3BOMA1 nach Preis ab 55.13 EUR bis 69.75 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||
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FP30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 115W 20-Pin EASY1B-1 Tray |
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FP30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MODULE 600V 37A 115W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 30A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 37 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 115 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.65 nF @ 25 V |
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FP30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP30R06W1E3BOMA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 37 A, 1.55 V, 115 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V Dauer-Kollektorstrom: 37A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V Verlustleistung Pd: 115W euEccn: NLR Verlustleistung: 115W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Produktpalette: EasyPIM 1B Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 37A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 115000mW 20-Pin EASY1B-1 Tray |
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FP30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 37A 115W 20-Pin EASY1B-1 Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP30R06W1E3BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER EASY |
Produkt ist nicht verfügbar |