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FP40R12KT3BPSA1

FP40R12KT3BPSA1 Infineon Technologies


9693ds_fp40r12kt3_2_0_de-en.pdffolderiddb3a304412b407950112b4095b0601.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module
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Technische Details FP40R12KT3BPSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V, Dauer-Kollektorstrom: 55A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V, Verlustleistung Pd: 210W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Siebenerpack, productTraceability: No, DC-Kollektorstrom: 55A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

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FP40R12KT3BPSA1 FP40R12KT3BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_FP40R12KT3_DS_v02_00_EN-3051376.pdf IGBT Modules LOW POWER ECONO
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FP40R12KT3BPSA1 FP40R12KT3BPSA1 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-FP40R12KT3-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b4316d775442 Description: LOW POWER ECONO
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: AG-ECONO2-8
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 105 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.5 nF @ 25 V
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FP40R12KT3BPSA1 FP40R12KT3BPSA1 Hersteller : INFINEON 2211610.pdf Description: INFINEON - FP40R12KT3BPSA1 - IGBT-Modul, Siebenerpack, 55 A, 1.8 V, 210 W, 125 °C, Module
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 55A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 210W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210W
Bauform - Transistor: Module
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Siebenerpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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