FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 254.52 EUR |
| 5+ | 236.49 EUR |
| 10+ | 195.61 EUR |
| 30+ | 182.02 EUR |
| 50+ | 174.5 EUR |
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Technische Details FP50R12KE3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 75A, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FP50R12KE3BOSA1 nach Preis ab 216.9 EUR bis 326.87 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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FP50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 2 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP50R12KE3BOSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 280W euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 75A Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP50R12KE3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FP50R12KE3BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 263.07 EUR |
| FP50R12KE3BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 271.33 EUR |
| FP50R12KE3BOSA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: INFINEON - FP50R12KE3BOSA1 - IGBT-Array & -Module, n-Kanal, 75A, 1.7V, 280W, 1.2kV, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 280W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 280W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EconoPIM 3
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 302.53 EUR |
| 5+ | 257.94 EUR |
| 10+ | 216.9 EUR |
| FP50R12KE3BOSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray
auf Bestellung 390 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 326.87 EUR |