FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 50A 280W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
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Technische Details FP50R12KT4GB15BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12KT4GB15BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4, Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 280W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote FP50R12KT4GB15BOSA1 nach Preis ab 256.48 EUR bis 256.48 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 280 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R12KT4GB15BOSA1 - IGBT-Modul, Dreiphasen-Wechselrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 280W euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-Wechselrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP50R12KT4GB15BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 280W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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| FP50R12KT4GB15BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
Produkt ist nicht verfügbar |