Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > FP50R12KT4GBOSA1
FP50R12KT4GBOSA1

FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
3+135.27 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 280W, Verlustleistung: 280W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Dauerkollektorstrom: 50A, Anzahl der Pins: 35Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote FP50R12KT4GBOSA1 nach Preis ab 123.06 EUR bis 157.73 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0 Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+157.73 EUR
10+123.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GBOSA1 FP50R12KT4GBOSA1 INFINEON Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0 Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
Verlustleistung: 280W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GBOSA1 Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0
FP50R12KT4GBOSA1
Hersteller: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 50A 280W MOD
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.8 nF @ 25 V
auf Bestellung 18 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+157.73 EUR
10+123.06 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FP50R12KT4GBOSA1 Infineon-FP50R12KT4G-DS-v03_00-en_de.pdf?fileId=db3a30432fbc32ee012fc083aae33ab0
FP50R12KT4GBOSA1
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - FP50R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 50 A, 1.85 V, 280 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 280W
Verlustleistung: 280W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 35Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 24 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH