Technische Details FP50R12KT4PB11BPSA1 Infineon Technologies
Category: IGBT modules, Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2, Type of semiconductor module: IGBT, Technology: EconoPIM™ 2, Gate-emitter voltage: ±20V.
Weitere Produktangebote FP50R12KT4PB11BPSA1
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin |
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| FP50R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin |
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FP50R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4 |
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 50 A three phase PIM |
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2 Type of semiconductor module: IGBT Technology: EconoPIM™ 2 Gate-emitter voltage: ±20V |
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOD IGBT LOW PWR ECONO2-4
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 |
Hersteller: Infineon Technologies
IGBT Modules 1200 V, 50 A three phase PIM
IGBT Modules 1200 V, 50 A three phase PIM
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| FP50R12KT4PB11BPSA1 |
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; EconoPIM™ 2
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: EconoPIM™ 2
Gate-emitter voltage: ±20V
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