FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP50R12W2T7B11BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP50R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V, Dauer-Kollektorstrom: 50A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V, Verlustleistung Pd: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: -, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 50A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote FP50R12W2T7B11BOMA1 nach Preis ab 69.27 EUR bis 116.98 EUR
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: LOW POWER EASYPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-EASY2B-2 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 8 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.1 nF @ 25 V |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules N |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP50R12W2T7B11BOMA1 - IGBT-Modul, PIM, 50 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V Dauer-Kollektorstrom: 50A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Verlustleistung: - Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPIM TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 50A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |
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FP50R12W2T7B11BOMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 50A 23-Pin Tray |
Produkt ist nicht verfügbar |