FP75R12KT3BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP75R12KT3BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 355W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 355W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 125°C.
Weitere Produktangebote FP75R12KT3BOSA1 nach Preis ab 283.97 EUR bis 406.96 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 105A 355W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 125°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 105 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 355 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.3 nF @ 25 V |
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FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP75R12KT3BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.7 V, 355 W, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 355W euEccn: NLR Verlustleistung: 355W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 125°C |
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| FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: FP75R12 - IGBT MODULE Packaging: Bulk |
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FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 105A 355000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT3BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
Produkt ist nicht verfügbar |