FP75R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
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Technische Details FP75R12KT4BOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FP75R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 385W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385W, Bauform - Transistor: Modul, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPIM 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Weitere Produktangebote FP75R12KT4BOSA1 nach Preis ab 88.22 EUR bis 243.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385W 35-Pin ECONO3-3 Tray |
auf Bestellung 10 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 385000mW 35-Pin ECONO3-3 Tray |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - FP75R12KT4BOSA1 - IGBT-Modul, PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter, 75 A, 1.85 V, 385 W, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 385W euEccn: NLR Verlustleistung: 385W Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPIM 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: PIM-Dreiphasen-Eingangsgleichrichter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 75A 385W Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 385 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V |
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FP75R12KT4BOSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules LOW POWER ECONO |
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