FP75R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FP75R12N3T7B11BPSA1 Infineon Technologies
Description: LOW POWER ECONO, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Input: Three Phase Bridge Rectifier, Configuration: Three Phase Inverter, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A, NTC Thermistor: Yes, Supplier Device Package: AG-ECONO3, IGBT Type: Trench Field Stop, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Power - Max: 20 mW, Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FP75R12N3T7B11BPSA1 nach Preis ab 90.63 EUR bis 187.42 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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FP75R12N3T7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 35-Pin Tray |
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FP75R12N3T7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: LOW POWER ECONO Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Three Phase Bridge Rectifier Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONO3 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 13 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 15.1 nF @ 25 V |
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FP75R12N3T7B11BPSA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
IGBT Modules 1200 V, 75 A PIM IGBT module |
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