Produkte > ONSEMI / FAIRCHILD > FQA10N80C-F109
FQA10N80C-F109

FQA10N80C-F109 onsemi / Fairchild

FQA10N80C_F109_D-1809426.pdf
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V N-Ch QFET Advance
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.01 EUR
10+8.1 EUR
25+7.66 EUR
100+6.64 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQA10N80C-F109 onsemi / Fairchild

Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800, Dauer-Drainstrom Id: 10, Qualifikation: -, MSL: -, Verlustleistung Pd: 240, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 240, Bauform - Transistor: TO-3PN, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Weitere Produktangebote FQA10N80C-F109 nach Preis ab 6.27 EUR bis 11.5 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
FQA10N80C-F109 FQA10N80C-F109 ONSEMI ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
22+11.5 EUR
26+9.09 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 ON Semiconductor fqa10n80c_f109-d.pdf
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 ONSM-S-A0013297897-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
FQA10N80C-F109
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQA10N80C-F109 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 10 A, 0.93 ohm, TO-3PN, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 10
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 240
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 240
Bauform - Transistor: TO-3PN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.93
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.93
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
auf Bestellung 263 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+11.5 EUR
26+9.09 EUR
100+6.27 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA10N80C-F109 fqa10n80c_f109-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 11250 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH