FQA13N80-F109 ON Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details FQA13N80-F109 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote FQA13N80-F109 nach Preis ab 3.77 EUR bis 24.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-3P N-CH 600V |
auf Bestellung 299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V |
auf Bestellung 283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| FQA13N80_F109 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FQA13N80_F109 | Hersteller : ON-Semicoductor |
N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 FQA13N80 Fairchild TFQA13n80 Anzahl je Verpackung: 2 Stücke |
auf Bestellung 22 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| FQA13N80_F109 | Hersteller : FAIRCHILD | MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P |
auf Bestellung 5 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 14850 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 50.4A Gate charge: 88nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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FQA13N80-F109 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 8A Power dissipation: 300W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.75Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 50.4A Gate charge: 88nC |
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