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FQA13N80_F109

Produktcode: 178511
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Transistoren > MOSFET N-CH

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FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA13N80_F109 FQA13N80_F109 ON-Semiconductor info-tfqa13n80.pdf FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
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FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 onsemi fqa13n80_f109-d.pdf MOSFETs TO-3P N-CH 600V
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FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 onsemi fqa13n80_f109-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
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FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ONSEMI fqa13n80_f109-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 145 Stücke:
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FQA13N80-F109 FQA13N80-F109 ON Semiconductor fqa13n80_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA13N80_F109 FAIRCHILD MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
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FQA13N80-F109
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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FQA13N80-F109
Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 310 Stücke:
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FQA13N80_F109 info-tfqa13n80.pdf
FQA13N80_F109
Hersteller: ON-Semiconductor
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
auf Bestellung 20 Stücke:
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FQA13N80_F109 info-tfqa13n80.pdf
FQA13N80_F109
Hersteller: ON-Semiconductor
FQA13N80 Fairchild N-MOSFET 800V 12.6A 300W FQA13N80_F109 TFQA13n80
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FQA13N80-F109
Hersteller: onsemi
MOSFETs TO-3P N-CH 600V
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FQA13N80-F109
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 12.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Active
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Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
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FQA13N80-F109 fqa13n80_f109-d.pdf
FQA13N80-F109
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 50.4A; 300W; TO3PN
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 50.4A
Power dissipation: 300W
Case: TO3PN
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 145 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 12.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Hersteller: FAIRCHILD
MOSFET N-CH 800V 12.6A TO-3P
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