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FQA65N20

FQA65N20 ON Semiconductor

fqa65n20-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 200V 65A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
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Technische Details FQA65N20 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 310W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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FQA65N20 Hersteller : Fairchild fqa65n20-d.pdf N-MOSFET 65A 200V 310W 0.032Ω FQA65N20 TFQA65n20
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FQA65N20 FQA65N20 Hersteller : onsemi fqa65n20-d.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 65A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 32.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7900 pF @ 25 V
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FQA65N20 FQA65N20 Hersteller : onsemi / Fairchild FQA65N20_D-2313807.pdf MOSFET 200V N-Channel QFET
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