Produkte > ON SEMICONDUCTOR > FQA9N90-F109
FQA9N90-F109

FQA9N90-F109 ON Semiconductor

fqa9n90_f109-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 445 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details FQA9N90-F109 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V.

Weitere Produktangebote FQA9N90-F109 nach Preis ab 3.85 EUR bis 7.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Hersteller : ON Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
auf Bestellung 220 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
130+4.19 EUR
Mindestbestellmenge: 130
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Hersteller : Fairchild Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
auf Bestellung 398 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
103+4.42 EUR
Mindestbestellmenge: 103
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Hersteller : onsemi / Fairchild FQA9N90_F109_D-1809703.pdf MOSFETs 900V N-Channel QFET
auf Bestellung 69 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+7.59 EUR
10+6.37 EUR
25+6.02 EUR
100+4.96 EUR
250+4.44 EUR
450+4.21 EUR
900+3.85 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 Hersteller : ON Semiconductor FQA9N90_F109-D.PDF fqa9n90_f109-d.pdf
auf Bestellung 4944 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Hersteller : ON Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Hersteller : onsemi FQA9N90_F109-D.PDF Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH