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Technische Details FQB7N60TM onsemi
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; Idm: 29.6A; 142W; D2PAK, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 600V, Drain current: 4.7A, Pulsed drain current: 29.6A, Power dissipation: 142W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 38nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Weitere Produktangebote FQB7N60TM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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| FQB7N60TM | Hersteller : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQB7N60TM - MOSFET, N, SMD, TO-263tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown |
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| FQB7N60TM | Hersteller : Fairchild |
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FQB7N60TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
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FQB7N60TM | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.4A D2PAK |
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FQB7N60TM | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET 600V N-Channel QFET |
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FQB7N60TM | Hersteller : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.7A; Idm: 29.6A; 142W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 4.7A Pulsed drain current: 29.6A Power dissipation: 142W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1Ω Mounting: SMD Gate charge: 38nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
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